以ONO和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ONO反熔丝0.6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33.2Gy,而MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000 Gy的总剂量能力。从而比较得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。
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