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摘要
通过数值模拟和实验手段相结合的方法,优化了980 nm单模半导体激光器结构。给出了一种通过计算脊波导单模激光器的光场和电流场的匹配关系来预测芯片阈值电流变化规律的方法。采用金属有机物化学气相淀积方法生长了带有腐蚀停止层的Al Ga As/In Ga As量子阱结构激光二极管外延片,通过腐蚀停止层实现了对芯片脊波导深度的精确控制,芯片的一致性显著提高。980 nm单模半导体激光器芯片的阈值电流为11 m A,在注入电流为100 m A条件下,其光功率为93 m W,快慢轴方向远场发散角分别为40°和8°。
- 出版日期2016
- 单位中国电子科技集团公司第十三研究所
