四元混晶InGaAsP应变量子阱在压力调制下的能带转型

作者：张院生; 郭子政

来源：内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版), 2010, (02): 134-138+142.

• 四元混晶
• 量子阱
• 静压力
• 能带转型
• 应变 quaternary mixed crystal
• quantum well
• hydrostatic pressure
• transformation of the band lineup type
• strain

采用模型固体理论计算了四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/In0.85Ga0.15As0.7P0.3/In1-xGaxAsyP1-y单量子阱系统中电子和空穴的能带结构,研究了流体静压力对能带的调制作用.结果表明:通过引入流体静压力,可以方便地实现单量子阱的能带转型(类型Ⅰ到类型Ⅱ的转变);当x=0.2,y=0.7时,电子、重空穴、轻空穴能带转型时的临界压力分别约为0.5,8,1.5GPa;0.5GPa≤P<8GPa时,量子阱的能带均为类型Ⅱ.

• 出版日期2010
• 单位内蒙古师范大学; 集宁师范学院