低应力Si_3N_4介质膜的制备工艺优化

作者：李海博; 齐虹; 王晓光; 李玉玲

来源：中国新技术新产品, 2010, (14): 18.

DOI：10.13612/j.cnki.cntp.2010.14.020

• 正交试验
• 低应力Si3N4
• 优化
• 应力测试

低应力Si3N4介质膜对于制作微结构传感器是非常重要的。本文通过采用正交试验设计,优化出Si3N4介质膜制备的低应力工艺参数,并给出了Si3N4薄膜应力的测试方法和测试结果。

• 出版日期2010
• 单位中国电子科技集团公司第四十九研究所