第一性原理研究C/Si比对SiC理想剪切强度的影响

作者：苏文; 李盈盈

来源：华中师范大学学报(自然科学版), 2016, 50(02): 196-201.

DOI：10.19603/j.cnki.1000-1190.2016.02.006

• 理想剪切强度
• 第一性原理
• 蒙特卡罗模拟
• SiC
• C团簇
• 非化学计量比

使用第一性原理计算方法研究C/Si比对β-SiC的理想剪切强度的影响,建立化学计量比下理想β-SiC分子模型,用C原子替换其中的Si原子,经蒙特卡罗方法优化得到非化学计量比下的SiC分子模型,这些晶体的C/Si比的变化范围是11.52.每个模型样品都沿[100]方向剪切,得到其剪切应力应变关系,最终了解C/Si比对SiC理想剪切强度的影响.计算结果表明,随着C/Si比增加,SiC的理想强度总体上呈下降趋势.在剪切载荷逐渐增大情况下,晶体会在C团簇周围的C-C键或者C-Si键处断裂.C原子的聚集,会使SiC的剪切强度减少,因为C团簇内部存在应变,而且C团簇越大,SiC的剪切强度下降得越剧烈.

• 出版日期2016
• 单位武汉大学