大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策

作者：陆广香; 沈国荣; 陈泉; 陆子见

来源：电力电子技术, 2006, (02): 119-121.

• 电力半导体器件/绝缘栅双极晶体管
• 半导体特性
• 超导线圈

结合150kVA超导线圈和锂电池-电容组合式SVG-APF的研制工作,首先剖析了IGBT的内部结构,详细讨论了杂散电感引起的过电压以及对容性母线的设计,最后分析了IGBT通态损耗和开关损耗引起的过热问题,给出了计算实例和实验结果。

• 出版日期2006-4-20
• 单位国电自动化研究院; 东南大学