低应力铌酸锂电光调Q开关的研究

作者：王富章; 陈彬; 孙军; 窦飞飞; 张玲; 胡永钊; 许京军

来源：人工晶体学报, 2013, (07): 1315-1318+1322.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2013.07.015

• 铌酸锂
• 调Q开关
• 应力 lithium niobate
• Q-switch
• stress

本文分析了铌酸锂晶体应力,按照来源包括热应力、缺陷应力、加工应力和晶体受到的外力等。对铌酸锂晶体热处理时固溶体脱溶问题的初步分析,采用合适的工艺对晶体毛坯进行了去应力热处理;在调Q开关制作时开发了弹性装配技术取代传统的硬性夹持方案,消除了夹持应力对电光调Q开关的影响。制备的铌酸锂电光调Q开关得到了实际应用,有效提高了激光器工作的温度稳定性。

• 出版日期2013
• 单位中国电子科技集团公司第二十七研究所; 南开大学; 郑州铁路职业技术学院