一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法

作者：胡俊涛; 朱钱鹏; 林钰涵; 李杰; 王鹏; 罗派峰

来源：2019-07-31, 中国, CN201910698784.2.

本发明公开了一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法,通过将少量有机小分子CBP掺杂进CdSe/ZnS量子点QLED器件的发光层中,使得原本不太光滑,容易团聚的发光层的薄膜形貌得到很好的改善,从而得到更高效率,更高亮度的QLED器件。本发明能够精确的控制CBP掺杂比例,操作简单,重复性好所制作的QLED器件最高亮度达到13636cd/m2,相对没有掺杂CBP的CdSe/ZnS量子点QLED器件亮度提升了3倍多,最大EQE达到6.48%,相比没有掺杂CBP的CdSe/ZnS量子点QLED器件效率提升了4倍多,效果显著。

• 出版日期2019-7-31
• 单位合肥工业大学