电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性

作者：宋朝瑞俞跃辉邹世昌张福民王曦

来源：功能材料与器件学报, 2003, (04): 415-418.

• ta-C薄膜
• 真空磁过滤弧源沉积
• SOI
• 电绝缘性能 ta - C thin film
• filtered arc deposition
• SOI
• dielectric properties

采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C薄膜的sp~3键含量高达87％,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm。

• 出版日期2003
• 单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所