多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征

作者：王彩凤; 李清山; 胡波; 李卫兵; 伊厚会

来源：光电技术应用, 2011, (04): 53-55+68.

• 脉冲激光沉积
• 光致发光
• ZnS
• 多孔硅 pulsed laser deposition
• photoluminescence
• ZnS
• porous silicon

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅(porous silicon,PS)衬底上用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD)在250°C和350°C下生长ZnS薄膜。XRD图样显示,制备的ZnS薄膜沿β-ZnS(111)方向择优生长,较高的生长温度下,衍射峰强度较大。SEM结果表明,250°C生长的ZnS薄膜表面疏松、不平整,这是由于衬底PS的粗糙结构所致,而350°C生长温度下,尽管薄膜表面出现了一些明显尺寸的晶粒,但总体变得平整致密。室温下的光致发光(PL)谱表明,350°C样品中ZnS的自激活发光强度高于250°C样品,而PS的红光强度低于250°C样品且峰位红移...

• 出版日期2011
• 单位鲁东大学; 滨州学院