低能Ar+、Xe+轰击SiO2的溅射模型

作者：张建华; 夏勇; 丁利; 商圣飞

来源：北京航空航天大学学报, 2017, 43(09): 1766-1772.

DOI：10.13700/j.bh.1001-5965.2016.0744

• 氩离子
• 氙离子
• 二氧化硅
• 溅射
• 改进

为了得到在低能条件下更为精确的Ar+和Xe+轰击SiO2的溅射模型,对已有化合物溅射模型进行调研分析,总结了3种溅射模型,分别为Pencil模型、Bach模型和Seah模型,并对其不足之处加以分析。在Seah模型基础上,对溅射阈值采用新的计算方法,并利用等效原子法改进溅射参数和表面键能的计算方法,形成改进后的新模型。结合已有的关于Ar+和Xe+法向轰击SiO2的实验数据,对4种模型的计算结果进行对比分析。对于Ar+和Xe+法向轰击SiO2,改进后的溅射模型的均方根误差最小,拟合优度最高,均优于其他3种模型。说明在低能状态下,采用改进后的模型可以更为精确地计算Ar+和Xe+轰击SiO2的溅射率。

• 出版日期2017
• 单位北京航空航天大学