射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质HT5"H

作者：简基康; 郑毓峰; 马忠权; 李冬来; 徐少辉

来源：新疆大学学报(自然科学版), 2000, 17(3).

DOI：10.3969/j.issn.1000-2839.2000.03.004

• Indium
• Tin
• Oxide
• 薄膜
• 射频溅射
• Hall系数

用磁控射频溅射方法制备Indium-Tin-Oxide(ITO)薄膜,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响.基片温度410°时,结晶最好,相应的电学性质最优,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因.样品在可见光谱区的平均透过率超过80%,受基片温度影响不大,确定薄膜的光能隙为3.55ev.

• 出版日期2000
• 单位新疆大学