针对传统一阶温度补偿的CMOS带隙基准电压源的温度特性较差的问题,在此基础上采用高阶温度补偿以改善温度特性,并且在电路中增加了带有负反馈的前调整器,提高了基准电压的电源抑制比。对电路采用SMIC0.18CMOS工艺进行仿真,输出电压在温度为-20℃～+58℃范围内有负的温度系数2.34×10-6/℃,在温度为58℃～120℃范围内有正的温度系数为2.21×10-6/℃,在低频时电源抑制比可达116 dB,在10 kHz时也可达到73 dB。
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