采用第一性原理研究了不同带宽下BN纳米带的几何结构与电子性质。研究结果表明:随着带宽的增大,BN纳米带边缘发生形变,键角增大,B-B键键长增大。当带宽约为1.7 nm时,B-B键发生断裂。电子性质研究表明:随带宽减小,最高占据轨道(HOMO)/最低非占据轨道(LUMO)能隙减小。对电子态密度(DOS)及赝能隙分析表明:BN纳米带带宽越小,在费米能级处DOS越大,且赝能隙越小。这和GNR比较相似,说明BN纳米带越窄电子越容易从价带向导带跃迁。
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