碳化硅MOSFET特征参数随温度变化的比较研究

作者：江芙蓉; 杨树; 盛况^*

来源：电源学报, 2018, 16(06): 143-151.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2018.6.143

• SiC MOSFET
• 温度
• 导通电阻
• 阈值电压
• 迁移率
• 界面态

通过对Cree公司三代SiC MOSFET样品在-160～200℃温度下进行测试,提取出每代器件在不同温度下的阈值电压、导通电阻等特征参数。分析比较了三代产品阈值电压、导通电阻随温度的变化趋势,以及不同温度下导通电阻与栅极电压的关系。运用建立物理模型的方法,对三代产品阈值电压、导通电阻各组成部分与温度的关系进行了比较研究。解释了SiC MOSFET的阈值电压的温度变化率随产品更新而逐代降低的原因,是栅极SiO2/SiC界面存在的陷阱密度在逐代地下降。通过TCAD仿真拟合转移特性随温度的变化,验证了新产品的界面态密度的降低,同时佐证了SiC MOSFET的技术水平在近几年有显著提升。

• 出版日期2018
• 单位浙江大学