采用基于第一性原理的密度泛函理论对过渡金属Ti和Zn掺杂单层SnSe的磁性进行研究。计算表明,Ti比Zn更易在单层SnSe体系中掺杂,Ti掺杂体系具有磁性,体系的费米能级向导带移动,而Zn掺杂单层SnSe体系不具有磁性。加外电场使得Ti和Zn在单层SnSe中掺杂变难,外电场会引起Ti掺杂单层SnSe体系的电荷重新分布。在-44V/nm范围内,外电场对Ti和Zn掺杂SnSe体系的磁性影响很小。
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