低温净化冶金硅工艺(英文)

作者：赵立新; 王志; 郭占成; 李成义

来源：Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2011, (05): 1185-1192.

• 金属熔析法
• 冶金净化法
• 锡硅体系
• 太阳能级多晶硅 metal liquating method
• metallurgical purification process
• tin-silicon system
• solar grade silicon

硼、磷杂质的去除在冶金净化法生产太阳能级多晶硅工艺中耗能最大。金属熔析净化法可以实现冶金硅在金属液中低温下熔化,而后再结晶净化,是一种可行的低能耗硼磷去除方法。对熔析体系的选择原则进行总结,筛选出铝、锡和铟金属作为合适的熔析介质。对于Sn-Si体系,1500K时硼的分凝系数为0.038,远小于纯硅熔点的对应值0.8。冶金硅二次熔析净化处理可使硼的质量分数由15×10-6降至0.1×10-6,而多数金属杂质可一次性去除至0.1×10-6以下。在熔析过程中,杂质和硅生成化合物是主要的杂质去除方式。提出一种以金属熔析法为基础的低温冶金硅净化工艺。

• 出版日期2011
• 单位中国矿业大学; 北京科技大学; 中国矿业大学（北京）; 中国科学院大学