P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

作者：段宝兴; 董超; 范玮; 杨银堂; 朱樟明; 李春来; 马剑冲

来源：2017-09-29, 中国, ZL201510112078.7.

P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。本发明公开一种新的SJ-LDMOS器件。本发明在N型衬底外延层上制作半超级结,并且在半超级结区上引入P型埋层。与传统的超级结相比,本发明通过了N区和P型埋层的共同作用,补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡,克服了衬底辅助效应,提高了击穿电压；并且,由于是半超级结,在表面引入一个电场峰,进一步提高击穿电压。同时,P型埋层可以提高N区的浓度,降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压,低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ-LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单,工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。

• 出版日期2017-9-29
• 单位西安后羿半导体科技有限公司; 西安电子科技大学