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摘要
本实用新型涉及双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管。在顶栅、底栅栅压不变情况下,通过改变底栅栅压的大小使得沟道电导可调,通过改变顶栅栅压的极性使得沟道导电类型可调。本实用新型即可制备在硬质衬底也可制备在柔性衬底上,可以进一步构建逻辑门电路。由于采用随机网络做为导电沟道,加工制备方法简单,便于批量规模加工,同时有效克服了单根纳米管制备的器件人工组装、个体差异、器件性能不一致、定位难以及生产效率低等缺点。本实用新型双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管的电流的开关比值理论上大于105。可应用于纳米集成电路。该器件在纳米电子学和柔性纳米电子学领域有广泛的应用价值。
- 出版日期2012-1-25
- 单位合肥工业大学
