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摘要
采用原子层淀积(ALD)方法在4H-SiC(0001)8°N-/N+外延层上制备了超薄(~4nm)Al2O3绝缘栅高介电常数SiCMIS电容.通过对Al2O3介质膜以及Al2O3/SiC界面微结构和电学特性分析表明,实验所得Al2O3介质膜具有较好的体特性和界面特性,Al2O3薄膜的击穿电场为25MV/cm,并且在可以接受的界面态密度(2×1013cm-2)下具有较小的栅泄漏电流(8MV/cm电场下漏电流密度为1×10-3A/cm-2).电流-电压测试分析表明,在FN隧穿条件下,SiC/Al2O3之间的势垒高度为1.4eV,已达到制作SiCMISFET器件的要求.同时,在整个栅压区域也受Fre...
- 出版日期2011
- 单位西安电子科技大学
