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摘要
为得到高质量的PbS薄膜,使用化学浴沉积法在40℃、50℃和60℃的低温下在包覆有TiO 2层的FTO衬底上成功制备了PbS薄膜。所制备的PbS薄膜外观光滑、致密,使用X射线衍射、场发射扫描电镜、紫外可见近红外和紫外光电子能谱分析了该薄膜。根据分析结果,运用谢乐公式计算得到以上温度下制备的PbS薄膜的粒径分别为30nm、36 nm和39 nm,且相应禁带宽度分别估算为1.58 eV、1.38 eV和1.20 eV。通过紫外光电子能谱结果计算出相应功函数分别为-4.90 eV、-4.60 eV和-4.50 eV,结合PbS薄膜的禁带宽度和功函数计算了其导带边和价带边的大小。此外,以spiro-OMeT AD作为空穴传输层,制备了PbS/TiO 2太阳能电池,并获得了0.24%的光电转换效率。
