<正>Socionext Inc.与高能加速器研究组织材料结构科学研究所、京都大学综合辐射与核科学研究所、大阪大学信息科学与技术研究生院经共同研究,首次成功证明介子和中子引起的半导体器件的软误差具有不同的特性。该研究小组对日本质子加速器研究中心(J-PARC)材料和生命科学设施(MLF)的μ子科学设施(MUSE)、京都大学研究中心(KUR)的热中子束和大阪大学核物理研究中心(RCNP)的高能中子束进行了负μ子束和正μ子束照射半导体器件的实验反应堆。
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