(100)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)光电特性的影响

作者：岑伟富; 杨吟野; 范梦慧; 杨文帮; 姚娟

来源：半导体技术, 2014, (09): 707-713.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.015

• Ca2P0.25Si0.75
• 能带结构
• 光学性质
• 应变
• 第一性原理 Ca2P0.25Si0.75
• energy band structure
• optical property
• strain
• first-principle

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法对(100)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算。计算结果表明:在90%~100%的压应变范围,立方相Ca2P0.25Si0.75的带隙随着压应变增加逐渐减小;在100%~102%张应变范围,带隙随着张应变增加逐渐增大,张应变为102%时,带隙达到最大,Eg=0.513 9 eV;当张应变大于102%,立方相Ca2P0.25Si0.75转化为间接带隙半导体。在102%~120%应变范围,带隙随着应变增大而减小。当施加应变后立方相Ca2P0.25Si0.75的光学性质发生显著变化:增加压应变,立方相Ca...

• 出版日期2014
• 单位贵州民族大学