a-Si:(H,Cl)薄膜的XPS和UPS研究

作者：邢益荣钟战天沈光地孔光临廖显伯杨喜荣

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1983, (06): 590-592.

• 辉光放电
• H
• Cl
• UPS
• XPS
• a-Si
• 发射峰
• 衬底温度
• 气体流速
• 子谱
• 电子结构

对a-Si:(H,C1)薄膜进行了XPS和UPS测量,样品是利用辉光放电方法在SiH_4+H_2加SiCl_4+H_2混合气体中生长的.XPS的结果表明,根据Cl 2p发射峰和Si2p(或2s)发身峰的强度可以定量地确定Cl与Si的原子浓度比;UPS的结果可以解释为在这种a- Si:H:Cl中同时存在Si-H和Si-Cl结合键.

• 出版日期1983
• 单位中国科学院半导体研究所