用扫描电子显微镜和超高压电子显微镜观察和分析了(111)单晶硅1100℃干氧氧化的不同厚度氧化膜的形态和结构。结合单晶硅氧化动力学三段理论,提出了氧化膜生长机制。电子和 X-射线衍射分析,确定氧化膜是由具有不同晶体结构的二氧化硅构成。文中还讨论了氧化膜生长时,在 Si-SiO_2界面处的层错及位错的成因。
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