HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂

作者：仇志军; 桂永胜; 疏小舟; 戴宁; 郭少令; 禇君浩

来源：Acta Physica Sinica, 2004, (04): 1186-1190.

• n-HgTe/HgCdTe
• Shubnikov-de Haas振荡
• Rashba自旋分裂

主要研究具有倒置能带结构的n HgTe HgCdTe第三类量子阱Shubnikov deHaas(SdH)振荡中的拍频现象 .发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂 ,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析 :SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中拍频节点分析和对SdH振荡拍频数值拟合 ,得到了完全一致的电子Rashba自旋分裂能量 (2 8— 3 6meV)

• 出版日期2004-4-12
• 单位中国科学院上海技术物理研究所