氮化硅(含LiF-MgO-SiO_2)陶瓷的低温热压烧结

作者：郭景坤严东生王荣华包翠娣

来源：硅酸盐学报, 1985, (04): 433-438.

• 氮化硅陶瓷
• LiF-MgO-SiO_2
• 热压烧结
• 致密化过程
• 晶界扩散
• 理论密度
• 气孔率
• 外加压力
• 扩散转移
• 晶粒间

为了研制纤维补强氮化硅复合材料,避免纤维与基体的反应而受到损害,必须使氮化硅的热压处理温度降低到两者共存所允许的程度。添加LiF-MgO-SiO_2可以使氮化硅的热压烧结温度降低到1450℃,而致密度达到理论密度的99％以上。 本文初步探索了含LiF-MgO-SiO_2的氮化硅陶瓷低温热压烧结机理,发现它是适合于R.L.Coble提出的在热压烧结中晶界扩散蠕变过程的。考虑到气孔及模壁对有效压力的影响,同时把晶界层厚度理解为界面液相层厚度,可将该过程的方程调整为: ln(1-ρ)=-K(Wσ_A/T)t+ln(1-ρ_0)其中ρ为相对密度;K是包含有晶界扩散系数的常数;σ_A是外加压力;W是液相...

• 出版日期1985
• 单位中国科学院上海硅酸盐研究所