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摘要
为了提高光电探测器的光电特性，使其具有更宽的光谱响应范围以及实现对弱光信号的探测。文中以二氧化锡和升华硫为原料，采用化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备了SnS2薄膜，通过干法转移制备了SnS2光电探测器，探究了其在不同波长、光强、偏压条件下的光电特性。研究结果表明：制备出的SnS2为20～30μm的不规则形状晶体；SnS2光电探测器在250～850 nm波长范围内有不同程度的响应，在波长440 nm附近的响应最高。在520 nm波长的激光照射下，SnS2光电探测器的光响应度和光探测率分别为42.52 mA·W-1和1.83×1011 cm·Hz1/2·W-1,上升时间和下降时间分别为37 ms和66 ms。由于SnS2是一种环境友好型材料且具有较大的带隙，使其为设计下一代高性能光电探测器提供了参考。
- 出版日期2023
- 单位电子信息工程学院; 西安工业大学
