氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响

作者：曹玉萍; 薛成山; 石锋; 孙海波; 刘文军; 郭永福

来源：功能材料, 2010, (02): 264-267.

• GaN
• 纳米线
• 氨气流量
• 溅射
• 生长机制 GaN
• nanowires
• ammonia flow rate
• sputtering
• growth mechanism

利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征。结果表明,氨气流量对GaN纳米线的生长及性能有很大影响。简单讨论了GaN纳米线的生长机理。

• 出版日期2010
• 单位山东师范大学