低压功率VDMOS的结构设计研究

作者：王蓉; 李德昌

来源：电子科技, 2010, (04): 33-35+41.

DOI：10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2010.04.010

• 功率VDMOS
• 单胞尺寸
• 终端
• 芯片版图 power VDMOS
• cell size
• terminal
• layout

对功率集成电路中耐压为60V,电流容量为2.5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上,分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优化方法。通过ISETCAD器件仿真软件,得出相关数据和终端结构,进而借助L-edit完成最终版图结构。

• 出版日期2010
• 单位西安电子科技大学