分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性,以升压斩波电路为载体,通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响,以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时,以SiC MOSFET功率器件为核心搭建了实验样机,依据实测数据对理论分析进行验证,并与同类型Si器件相互比较,得出了关于SiC功率器件在系统电路设计方面的优点和一些值得注意的问题。
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