摘要

深红—近红外长余辉发光材料在生物光学成像、信息存储和智能传感方面具有重要应用价值。采用传统高温固相法合成了Sm2+和Sm2+、Dy3+掺杂的SrAl2Si2O8长余辉发光材料,利用X射线衍射仪,荧光光谱对所得材料进行结构和光学性能表征。所制备的样品在被254 nm激发后表现出强烈的深红—近红外长余辉发光特性,SrAl2Si2O8∶0.02Sm2+,0.01Dy3+的余辉发光CIE坐标(10 min)为(0.6722,0.3275)。Dy3+的引入能够产生更多的电子捕获陷阱,从而实现余辉性能的提升。本研究中新型深红—近红外余辉发光中心的探索及余辉性能提升策略有望为长余辉发光材料的开发提供新思路。