Al-Si 合金中初晶 Si 的台阶生长

作者：王渠东; 丁文江; 翟春泉; 徐小平; 金俊泽

来源：上海交通大学学报, 1999, (02): 18-21.

DOI：10.16183/j.cnki.jsjtu.1999.02.005

• 离心倾液法
• 初晶Si
• 台阶生长 decantation during centrifugal casting
• primary silicon
• step growth

采用离心倾液法研究过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金初晶Ｓｉ的生长形貌时发现，初晶Ｓｉ存在生长台阶，台阶的高度为数十至数百微米，从初晶Ｓｉ根部至尖端，台阶的高度逐渐变小，初晶Ｓｉ存在位错台阶生长机制．这一生长机制能够形成棱柱体或棱锥体、八面体和球形初晶Ｓｉ，以及产生初晶Ｓｉ的分枝和形成初晶Ｓｉ的生长迹线．

• 出版日期1999
• 单位上海交通大学; 大连理工大学