Fe掺杂的GaN稀磁半导体磁性分析

作者：郭俊梅; 刘科敏; 王锦仁; 孙琳

来源：集成电路应用, 2023, 40(05): 34-35.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.05.013

• 半导体材料
• Fe掺杂
• GaN
• 稀磁半导体磁性

阐述在稀磁半导体材料中，Fe离子浓度越高，稀磁半导体的晶体质量以及晶格取向所受到的影响就越严重。探讨Fe掺杂浓度的稀磁半导体材料，在任何温度下都能够展现出比较强的铁磁性。

• 出版日期2023
• 单位石家庄铁道大学四方学院