生长温度对In0.5Ga0.5As/GaAs量子点尺寸的影响

作者：马明明; 杨晓珊; 郭祥; 王一; 汤佳伟; 张之桓; 许筱晓; 丁召^*

来源：原子与分子物理学报, 2019, 36(01): 103-108.

• MBE
• In0.5Ga0.5As/GaAs量子点
• S-K
• Ostwald

采用分子束外延(MBE)技术制备In0.5Ga0.5As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.

• 出版日期2019
• 单位贵州大学