SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜的制备及其性能研究

作者:闫军锋; 张志勇; 邓周虎; 赵武; 王雪文
来源:华中科技大学学报(自然科学版)科技大学, 2007, 35(z1): 81-84,92.
DOI:10.3321/j.issn:1671-4512.2007.z1.023

摘要

采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2∶(Sb,In)薄膜,优化了制备工艺参数,应用差示扫描量热仪-热重分析仪(DSC-TGA)、X射线衍射仪(XRD)等手段对薄膜进行了表征.结果表明,氯化亚锡、乙醇和水摩尔比为1∶20∶4时成胶状态最佳,当锑和铟的掺杂量分别为7 %和4 %时,在500 ℃氮、氢混合气氛下煅烧2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为40.5 Ω,紫外-可见光透射率达88 %.

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