根据电化学 Ｃ－Ｖ测量 ＡｌＧａＩｎＰ外延片获得的载流子浓度深度分布数据，以及其 ＬＥＤ外延片封装后的工作电压，计算了其中Ｂ＋－Ｎ与Ｐ＋－Ｐ两种同型结的接触电势差，指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响ＬＥＤ工作电压的另一大因素，并提出了进一步降低 ＬＥＤ工作电压的有效措施．
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