在无位错FZ硅单晶生长过程中,长"硅刺"是一种对单晶生长十分有害且常见的现象。单晶生长过程中一旦出现"硅刺",如不能及时消除,会导致中途停炉,不仅浪费原料,而且影响生产,因此,如何减少和消除硅刺,是FZ单晶拉制中,需要着重解决的问题。对FZ硅单晶生长过程中,减少和消除硅刺进行了研究,尤其是加热线圈结构设计对抑制硅刺产生的重要作用。通过对线圈的合理改进,使FZ单晶生长过程中避免或减少"硅刺"的出现。
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