As-Se非晶态半导体的结构弛豫对光电导光强关系及瞬态过程的影响

作者：陈玲荣; 闵嗣桂

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1987, (06): 670-674.

• 非晶态半导体
• As-Se
• 结构弛豫
• 瞬态过程
• 光强
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• 电子输运
• 带隙态
• 反常现象

本文研究了As-Se非晶态半导体光电导与光强的关系,及光电导瞬态过程.发现瞬态光电导具有前冲、峰值;并且σ_(?)与G的关系有非线性等反常现象.作者用As-Se非晶态半导体的结构弛豫与缺陷组态间的关系进行分析,解释了实验结果.

• 出版日期1987
• 单位中国科学院上海硅酸盐研究所