离子源工艺参数对BCB胶刻蚀速率和表面粗糙度的影响

作者：包强; 刘卫国; 蔡长龙; 周顺; 陈智利; 惠迎雪; 姬娇

来源：应用光学, 2015, (05): 795-798.

• 离子束刻蚀
• 离子束参数
• 刻蚀速率
• 表面粗糙度 ion beam etching
• ion source parameters
• etching rate
• surface roughness

为了研究离子束刻蚀抛光过程中离子源工艺参数对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,采用微波离子源为刻蚀离子源,以BCB胶为主要研究对象,研究了离子束能量、离子束电流、氩气流量、氧气流量对BCB胶刻蚀速率及表面粗糙度的影响,获得了离子源工艺参数与刻蚀速率及表面粗糙度演变的关系。研究结果表明,离子束能量在从400eV增大到800eV的过程中,刻蚀速率不断增大,从3.2nm/min增大到16.6nm/min;离子束流密度在从15mA增大到35mA的过程中,刻蚀速率不断增大,从1.1nm/min增大到2.2nm/min;工作气体中氧气流量从2mL/min增大到10mL/min的过程中,刻蚀速率会整体增大,在8m...

• 出版日期2015
• 单位西安工业大学