增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

作者：王冲; 全思; 马晓华; 郝跃; 张进城; 毛维

来源：Acta Physica Sinica, 2010, (10): 7333-7337.

• 高电子迁移率晶体管
• AlGaN/GaN
• 增强型器件 high electron mobility transistor
• AlGaN /GaN
• enhancement-mode device

深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5min后,阈值电压由0.12V正向移动到0.57V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在400℃N2中退火2min后,器件阈值电压由0.23V负向移动到-0.69V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒提高,增强了栅对沟道载流子的耗尽能力,使器件阈值电压正方向移动,同时降低了栅反向漏电流,而且使得栅能工作在更高能的正向栅压下.F注入增强型器件在退火后由于F...

• 出版日期2010
• 单位西安电子科技大学