超高压成型对碳化硅陶瓷微观结构的影响

作者:熊昆; 徐光亮; 宋春军; 李冬梅
来源:中国粉体技术, 2008, (05): 30-33.
DOI:10.13732/j.issn.1008-5548.2008.05.004

摘要

以两面顶为成型设备,利用其超高压力(4.5GPa)来提高素坯的相对致密度,从而降低坯体的烧结温度、缩短烧结时间,并制备出高致密度的细晶碳化硅陶瓷。结果表明,经超高压成型后,碳化硅素坯的平均相对致密度为65.7%。与冷等静压成型后的坯体(45.5%)相比,提高了大约20%。在低压流动氮气保护下,超高压成型的坯体于1900℃下无压烧结30min,烧结体的致密度达到了98.3%,其晶粒尺寸在200nm左右。

全文