摘要

本发明提供一种AMOLED背板的制作方法,在图案化第一金属层形成第一栅极(61)、第二栅极(63)及电极板(65)后,以图案化的第一金属层为遮蔽层对图案化的多晶硅层进行N型轻掺杂;再沉积绝缘层(7),对绝缘层(7)进行非等向性蚀刻,形成阻隔物(71),以图案化的第一金属层与阻隔物(71)为遮蔽层对图案化的多晶硅层进行N型重掺杂,从而在第一栅极(61)的两侧于阻隔物(71)的正下方形成轻掺杂漏极区域(N-),能够使得开关TFT沟道区域两侧的轻掺杂漏极区域(N-)对称,可缩短轻掺杂漏极区域(N-)的长度,增大导通电流,有效降低光电流,且节省一道光罩,降低成本。

  • 出版日期2014-11-3
  • 单位深圳市华星光电技术有限公司