低功耗宽带CMOS低噪声放大器

作者：邵翔鹏; 张万荣; 丁春宝; 张卿远; 高栋; 周孟龙; 鲁东; 霍文娟

来源：电子器件, 2014, (05): 908-911.

• 低噪声放大器
• 低功耗
• 电流复用
• CMOS low noise amplifier
• low power consumption
• current reuse
• CMOS

实现了一款低功耗的宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器由三级电路组成,由于每一级都采用了电流复用技术,显著地降低了功耗。在电路中产生负零点来抵消极点,提高增益平坦度。低Q值电路拓展带宽。经0.18μm TSMC CMOS工艺仿真验证,在3 V的电源电压下,功耗仅为4.89 mW。另外在1 GHz~4.5 GHz频带范围内,电压增益(S21)为(14.8±0.4)dB,噪声系数(NF)介于3.1 dB~4.2 dB之间,输入、输出反射系数(S11、S22)均小于-10 dB。在4 GHz时,输入三阶交调点(IIP3)达到-11 dBm。结果表明该LNA性能良好。

• 出版日期2014
• 单位北京工业大学