本文针对传统MOSFET制作流程复杂,花费巨大的缺点,提出了一种改进的MOSFET制作方案,在保留MOSFET基本特性基础上,可以大幅度减少工艺流程。并利用此方法成功制作出了MOSFET器件并检测到了良好的电学特性。
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