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A novel passivation process of silicon nanowires by a low-cost PECVD technique for deposition of hydrogenated silicon nitride using SiH4 and N-2 as precursor gases

作者：Bouaziz Lamia; Dridi Donia; Karyaoui Mokhtar; Angelova Todora; Plaza Guillermo Sanchez; Chtourou Radhouane
来源：European Physical Journal Plus, 2017, 132(3): 119.
DOI：10.1140/epjp/i2017-11383-2
  • 出版日期2017-3-8

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更新时间：2021-01-20 06:25