新型碱性清洗液对CMP后残留SiO2颗粒的去除

作者：杨柳; 刘玉岭; 檀柏梅; 高宝红; 刘宜霖

来源：电子元件与材料, 2018, 37(05): 95-105.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.05.017

• CMP后清洗
• 碱性清洗液
• FA/OII型螯合剂
• O-20型活性剂
• 表面粗糙度
• 表面张力

随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化(CMP)后清洗在半导体工艺中显得尤为重要。本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,其主要成分为FA/OII型螯合剂和O-20非离子表面活性剂。FA/OII型螯合剂是一种有机胺碱,不仅能调节p H值,还能在CMP条件下与表面生成的Cu O和Cu(OH)x发生反应生成稳定可溶的络合物,同时使化学吸附在表面的Si O2随着氧化物或氢氧化物的脱落而脱离表面;O-20活性剂的表面张力较低,容易在晶圆表面铺展,将物理吸附在表面的颗粒托起,被清洗液带走。通过一系列对比试验得出,当清洗液中FA/OII型螯合剂的体积分数为0.015%,表面活性剂的体积分数为0.25%时,晶圆表面的颗粒数由抛光后的3200降到611,而且表面粗糙度较低,为1.06 nm,没有腐蚀现象。

• 出版日期2018
• 单位电子信息工程学院; 河北工业大学