晶格匹配InAlN/GaN异质结Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的温度依赖特性

作者：汪照贤; 闫大为; 张丹丹; 顾晓峰

来源：科学通报, 2016, 61(10): 1130-1134.

• 晶格匹配
• InAlN/GaN异质结
• 欧姆接触
• 温度依赖特性
• 类金属特性
• 热场发射

在硅衬底晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特性研究方块电阻(Rsh)和比接触电阻率(ρsc)的温度依赖特性.结果表明:(1)沟道层的Rsh对温度呈指数依赖关系,幂指数约-2.61,主要由高温下半导体的晶格散射机制决定;(2)300523 K的变温范围内,ρsc随温度上升呈先增大后减小的趋势;当温度低于350 K时,ρsc的温度依赖关系主要由TiN合金的类金属特性决定;而在更高的温度下,热场发射机制将逐渐占主导.基于以上2种模型的并联形式对实验数据进行了拟合,并分析了提取的重要物理参数.

• 出版日期2016
• 单位江南大学