一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管及其制备方法

作者：吕红亮; 朱翊; 芦宾; 吕智军; 赵鹰翔; 孟凡康

来源：2018-06-12, 中国, ZL201810602874.2.

本发明涉及一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管的制备方法,包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上生长SiO2层；在SiO2层上淀积Si3N4层；以光刻胶掩膜,离子注入Si衬底形成TFET的漏极；以光刻胶掩膜,离子注入Si衬底形成TFET的源极；进行快速高温退火,激活在源极和漏极掺杂的杂质；使用MBE形成InAs沟道；使用ALD在InAs沟道上淀积栅氧化层；经过CMOS工艺,制得新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管。漏极在Si衬底上的选择性掺杂降低了漏端电阻以此来实现开态大电流,从而实现在提高Ion的同时优化SS和Ioff。同时,本发明为平面器件结构,因此与CMOS工艺相兼容。

• 单位
  西安电子科技大学