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摘要
该研究2013年度主要围绕研究高迁移率半导体表面态及钝化机理,探索热力学稳定的高k栅介质材料方面,主要开展解决等效氧化层厚度表征,金属栅功函数的调制、沟道迁移率的下降以及高k栅介质的可靠性等相关问题,并实现器件质量的高k介质材料与高迁移率沟道材料的集成。
- 出版日期2016
- 单位中国科学院微电子研究所
该研究2013年度主要围绕研究高迁移率半导体表面态及钝化机理,探索热力学稳定的高k栅介质材料方面,主要开展解决等效氧化层厚度表征,金属栅功函数的调制、沟道迁移率的下降以及高k栅介质的可靠性等相关问题,并实现器件质量的高k介质材料与高迁移率沟道材料的集成。
